博士生葛昱初榮獲 IEEE 功率半導體器件及集成電路國際研討會「最佳海報獎」

電子及計算機工程學系博士生葛昱初，於 2026 年 5 月 24 日至 28 在美國拉斯維加斯舉行的「IEEE 功率半導體器件及集成電路國際研討會」（IEEE ISPSD 2026）上，榮獲最佳海報獎。其獲獎論文題為「Thermal Management of Parallel SiC MOSFETs Using Time-Domain Gate Resistance Modulation」，指導老師為學系的助理教授張薇葭。

ISPSD 是功率半導體器件及功率集成電路領域的頂尖國際學術會議，涵蓋的主題非常廣泛，包括器件的物理、建模、設計、製造、材料、封裝與整合、可靠性，以及器件與電路之間的相互作用等。