博士生葛昱初荣获 IEEE 功率半导体器件及集成电路国际研讨会「最佳海报奖」

电子及计算机工程学系博士生葛昱初，于 2026 年 5 月 24 日至 28 在美国拉斯维加斯举行的「IEEE 功率半导体器件及集成电路国际研讨会」（IEEE ISPSD 2026）上，荣获最佳海报奖。其获奖论文题为「Thermal Management of Parallel SiC MOSFETs Using Time-Domain Gate Resistance Modulation」，指导老师为学系的助理教授张薇葭。

ISPSD 是功率半导体器件及功率集成电路领域的顶尖国际学术会议，涵盖的主题非常广泛，包括器件的物理、建模、设计、制造、材料、封装与整合、可靠性，以及器件与电路之间的相互作用等。